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Si1563EDH
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
8
6
10 000
1000
100
4
10
1
T J = 150 °C
2
0
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0
4
8
12
16
0
3
6
9
12
15
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate-Current vs. Gate-Source Volta g e
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate-Current vs. Gate-Source Volta g e
3.0
V GS = 5 V thr u 3.5 V
3 V
3.0
2.5
2.5
T C = - 55 °C
2.0
2.5 V
2.0
25 °C
125 °C
1.5
1.0
2 V
1.5
1.0
0.5
0.0
1.5 V
1 V
0.5
0.0
0
1
2
3
4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1. 8 V
160
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
1.2
0. 8
0.4
0.0
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
120
8 0
40
0
C rss
C iss
C oss
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
www.vishay.com
6
For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 71416
S12-1258-Rev. E, 21-May-12
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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